Resistive memory

Invention Grant

Title translation: 电阻记忆

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Patent Title: Resistive memory
Patent Title (中): 电阻记忆
Application No.: US13773551

Application Date: 2013-02-21
Publication No.: US08653497B2

Publication Date: 2014-02-18
Inventor: Bao Tran
Applicant: Bao Tran
Agency: Tran & Associates
Main IPC: H01L45/00
IPC: H01L45/00

Abstract:

A memory device includes an upper conductive layer, a lower conductive layer, and a resistive, optical or magnetic matrix positioned between the upper and lower conductive layers.

Abstract(Chinese):

存储器件包括上导电层，下导电层和位于上导电层和下导电层之间的电阻，光或磁矩阵。

Public/Granted literature

US20130163310A1 RESISTIVE MEMORY Public/Granted day:2013-06-27

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L45/00	无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L39/00；压电器件入H01L41/00；体负阻效应器件入H01L47/00）