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发明授权
US08658491B2 Manufacturing method of transistor structure having a recessed channel 有权
具有凹陷通道的晶体管结构的制造方法

  • 专利标题： Manufacturing method of transistor structure having a recessed channel
  • 专利标题（中）： 具有凹陷通道的晶体管结构的制造方法
  • 申请号： US12890926
    申请日： 2010-09-27
  • 公开(公告)号： US08658491B2
    公开(公告)日： 2014-02-25
  • 发明人: Gyu Seog Cho
  • 申请人： Gyu Seog Cho
  • 申请人地址： KR Kyoungki-do
  • 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
  • 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
  • 当前专利权人地址： KR Kyoungki-do
  • 代理机构： Ladas & Parry LLP
  • 优先权： KR10-2007-0134035 20071220
  • 主分类号： H01L21/8234
  • IPC分类号： H01L21/8234
Manufacturing method of transistor structure having a recessed channel
摘要：
A semiconductor device and a method for manufacturing the same are disclosed. The disclosed semiconductor device includes a semiconductor substrate having a device isolation structure for delimiting an active region, the active region being recessed and grooves being defined in channel forming areas of the active region; gates formed in and over the grooves; gate spacers formed on both sidewalls of the gates over portions of the recessed active region which are positioned on both sides of the gates; an LDD region formed in the active region under the gate spacers; junction areas formed in the active region on both sides of the gates including the gate spacers; and landing plugs formed on the junction areas.
摘要（中）：

公开了一种半导体器件及其制造方法。 所公开的半导体器件包括具有用于限定有源区的器件隔离结构的半导体衬底，有源区是凹陷的，并且沟槽限定在有源区的沟道形成区中; 形成在槽内和上面的门; 栅极隔离物在位于栅极两侧的凹入有源区的部分上形成在栅极的两个侧壁上; 形成在栅极间隔下的有源区中的LDD区; 形成在包括栅极间隔物的栅极两侧的有源区域中的接合区域; 并在接合区域上形成着陆塞。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
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