发明授权
- 专利标题： Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
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申请号： US13463071申请日： 2012-05-03
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公开(公告)号： US08692376B2公开(公告)日： 2014-04-08
- 发明人: Jung Geun Kim , Whee Won Cho , Eun Soo Kim
- 申请人： Jung Geun Kim , Whee Won Cho , Eun Soo Kim
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人： Hynix Semiconductor Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： IP & T Group LLP
- 优先权： KR10-2011-0042856 20110506
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48
摘要：
A method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interlayer dielectric layer, forming trenches by etching the interlayer dielectric layer, forming a copper (Cu) layer to fill the trenches, and implanting at least one of an inert element, a nonmetallic element, and a metallic element onto a surface of the Cu layer.
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