发明授权
US08711618B2 Method for programming non-volatile memory device and apparatuses performing the method
有权
用于编程执行该方法的非易失性存储器件和装置的方法
- 专利标题： Method for programming non-volatile memory device and apparatuses performing the method
- 专利标题（中）： 用于编程执行该方法的非易失性存储器件和装置的方法
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申请号： US13190913申请日： 2011-07-26
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公开(公告)号： US08711618B2公开(公告)日： 2014-04-29
- 发明人: Seong Hyeog Choi , Hong Rak Son , Jun Jin Kong , Yong June Kim
- 申请人： Seong Hyeog Choi , Hong Rak Son , Jun Jin Kong , Yong June Kim
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： Harness, Dickey & Pierce, P.L.C.
- 优先权： KR10-2010-0071770 20100726
- 主分类号： G11C7/10
- IPC分类号： G11C7/10
摘要：
A method of programming multi-level cells included in a spare region, the method including programming first page data and at least one first dummy data in a first multi-level cell; and programming second page data and at least one second dummy data in a second multi-level cell.
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