发明授权
- 专利标题： Low read current architecture for memory
- 专利标题（中）： 低读取存储体系结构
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申请号： US13252934申请日： 2011-10-04
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公开(公告)号： US08737151B2公开(公告)日： 2014-05-27
- 发明人: Bruce Bateman , Darrell Rinerson , Christophe Chevallier , Chang Hua Siau
- 申请人： Bruce Bateman , Darrell Rinerson , Christophe Chevallier , Chang Hua Siau
- 申请人地址： US CA Sunnyvale
- 专利权人： Unity Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： Unity Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Sunnyvale
- 代理机构： Stolowitz Ford Cowger LLP
- 主分类号： G11C7/00
- IPC分类号： G11C7/00
摘要：
A low read current architecture for memory. Bit lines of a cross point memory array are allowed to be charged by a selected word line until a minimum voltage differential between a memory state and a reference level is assured.
公开/授权文献
- US20120075914A1 Low Read Current Architecture For Memory 公开/授权日：2012-03-29
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