发明授权
- 专利标题： Epitaxial growth of single crystalline MgO on germanium
- 专利标题（中）： 单晶MgO在锗上的外延生长
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申请号： US12905675申请日： 2010-10-15
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公开(公告)号： US08766341B2公开(公告)日： 2014-07-01
- 发明人: Wei Han , Yi Zhou , Kang-Lung Wang , Roland K. Kawakami
- 申请人： Wei Han , Yi Zhou , Kang-Lung Wang , Roland K. Kawakami
- 申请人地址： US CA Oakland
- 专利权人： The Regents of the University of California
- 当前专利权人： The Regents of the University of California
- 当前专利权人地址： US CA Oakland
- 代理机构： Withrow & Terranova, P.L.L.C.
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L29/10 ; H01L29/12 ; H01L21/00
摘要：
The embodiments disclosed herein relate to growth of magnesium-oxide on a single crystalline substrate of germanium. The embodiments further describes a method of manufacturing and crystalline structure of a FM/MgO/Ge(001) heterostructure. The embodiments further related to method of manufacturing and a crystalline structure for a high-k dielectric//MgO [100](001)//Ge[110](001) heterostructure.
公开/授权文献
- US20110089415A1 EPITAXIAL GROWTH OF SINGLE CRYSTALLINE MGO ON GERMANIUM 公开/授权日：2011-04-21
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