发明授权
US08779605B2 Method and apparatus providing integrated circuit having redistribution layer with recessed connectors
有权
提供集成电路的方法和装置，其具有带凹入连接器的再分配层
- 专利标题： Method and apparatus providing integrated circuit having redistribution layer with recessed connectors
- 专利标题（中）： 提供集成电路的方法和装置，其具有带凹入连接器的再分配层
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申请号： US13605621申请日： 2012-09-06
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公开(公告)号： US08779605B2公开(公告)日： 2014-07-15
- 发明人: David Pratt
- 申请人： David Pratt
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Dickstein Shapiro LLP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L29/40
摘要：
A method of making a semiconductor die includes forming a trench around a conductive stud extending from the first side to a second side of a substrate to expose a portion of the stud and then forming a conductive layer inside the trench and in electrical contact with the stud.
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