发明授权
- 专利标题： Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
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申请号： US13458809申请日： 2012-04-27
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公开(公告)号： US08796104B2公开(公告)日： 2014-08-05
- 发明人: Chang Eun Lee
- 申请人： Chang Eun Lee
- 申请人地址： KR Seoul
- 专利权人： Dongbu Hitek Co., Ltd.
- 当前专利权人： Dongbu Hitek Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Seoul
- 代理机构： Murabito Hao & Barnes LLP
- 代理商 Andrew D. Fortney
- 优先权： KR10-2011-0105469 20111014
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
A semiconductor device and a method of manufacturing the same are disclosed. The semiconductor device includes a first insulation layer on or over a semiconductor substrate, metal patterns on or over the first insulation layer, a thin film resistor pattern disposed on or over the metal patterns, and an anti-reflection layer between the thin film resistor pattern and the metal patterns.
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