发明授权
- 专利标题： 6.1 angstrom III-V and II-VI semiconductor platform
- 专利标题（中）： 6.1埃III-V和II-VI半导体平台
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申请号： US13893232申请日： 2013-05-13
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公开(公告)号： US08891573B2公开(公告)日： 2014-11-18
- 发明人: Yong-Hang Zhang
- 申请人： Yong-Hang Zhang
- 申请人地址： US AZ Scottsdale
- 专利权人： Arizona Board of Regents
- 当前专利权人： Arizona Board of Regents
- 当前专利权人地址： US AZ Scottsdale
- 代理机构： Snell & Wilmer L.L.P.
- 主分类号： H01S5/00
- IPC分类号： H01S5/00 ; H01S5/30 ; H01S5/323 ; H01L21/8252 ; H01S5/026 ; H01S5/183 ; H01L21/8254 ; H01L29/78 ; H01L29/267 ; H01L29/20 ; H01L27/06 ; H01L21/8258 ; H01L29/22 ; H01S5/042 ; H01S5/02 ; H01S5/343
摘要：
Use of semiconductor materials having a lattice constant of within +/−1.6% of 6.1 angstroms facilitates improved semiconductor device performance and new semiconductor structures, for example integration of field-effect devices and optoelectronic devices on a single wafer. High-mobility channels are enabled, improving device performance.
公开/授权文献
- US20130301668A1 6.1 ANGSTROM III-V and II-VI SEMICONDUCTOR PLATFORM 公开/授权日：2013-11-14
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