发明授权
US08895210B2 Method for fabricating pellicle, photo mask, and semiconductor device
有权
防护薄膜，光掩模和半导体器件的制造方法
- 专利标题： Method for fabricating pellicle, photo mask, and semiconductor device
- 专利标题（中）： 防护薄膜，光掩模和半导体器件的制造方法
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申请号： US13680415申请日： 2012-11-19
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公开(公告)号： US08895210B2公开(公告)日： 2014-11-25
- 发明人: Masato Suzuki , Tetsuro Nakasugi
- 申请人： Masato Suzuki , Tetsuro Nakasugi
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Finnegan, Henderson, Farabow, Garrett & Dunner, L.L.P.
- 优先权： JP2011-253638 20111121
- 主分类号： G03F1/62
- IPC分类号： G03F1/62 ; G03F1/64 ; G03F1/68
摘要：
An aspect of the present embodiment, there is provided a method for fabricating a pellicle, including acquiring a shape of a pellicle frame, deciding a thickness distribution of an adhesive to be coated on the pellicle frame on a basis of the acquired shape of the pellicle frame, and coating the adhesive on the pellicle frame based on the decision of the thickness distribution.
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