发明授权
- 专利标题： Method of atomic layer deposition using metal precursors
- 专利标题（中）： 使用金属前体的原子层沉积方法
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申请号： US13549910申请日： 2012-07-16
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公开(公告)号： US08906457B2公开(公告)日： 2014-12-09
- 发明人: David Thompson , Jeffrey W. Anthis , Christian Dussarrat , Clement Lansalot-Matras
- 申请人： David Thompson , Jeffrey W. Anthis , Christian Dussarrat , Clement Lansalot-Matras
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Servilla Whitney LLC
- 主分类号： C23C16/18
- IPC分类号： C23C16/18 ; C23C16/455
摘要：
Methods for deposition of metal films consisting essentially of Co, Mn, Ru or a lanthanide on surfaces using metal coordination complexes are provided. The precursors used in the process include a 2-methylimine pyrrolyl ligand and/or N,N′-diisopropylformamidinato ligand. The precursors may also contain cyclopentadienyl, pentamethylcyclopentadienyl or pyrrolyl groups.
公开/授权文献
- US20130059077A1 Method of Atomic Layer Deposition Using Metal Precursors 公开/授权日：2013-03-07
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