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US08940566B2 Semiconductor device, display device, and production method for semiconductor device and display device 有权
半导体装置，显示装置以及半导体装置及显示装置的制造方法

Semiconductor device, display device, and production method for semiconductor device and display device
摘要：
The semiconductor device (100) according to the present invention includes a gate electrode (102) of a TFT, a gate insulating layer (103) formed on the gate electrode (102), an oxide semiconductor layer (107) disposed on the gate insulating layer (103), a protecting layer (108) formed on the oxide semiconductor layer (107) by a spin-on-glass technique, and a source electrode (105) and a drain electrode (106) disposed on the protecting layer (108). Via a first contact hole (131) formed in the protecting layer (108), the source electrode (105) is electrically connected to the oxide semiconductor layer (104), and via a second contact hole (132), the drain electrode (106) is electrically connected to the oxide semiconductor layer (104).
摘要（中）：

根据本发明的半导体器件（100）包括TFT的栅极（102），形成在栅电极（102）上的栅极绝缘层（103），设置在栅绝缘层上的氧化物半导体层（107） 层（103），通过旋涂玻璃技术形成在氧化物半导体层（107）上的保护层（108）以及设置在保护层（108）上的源电极（105）和漏电极（106） ）。 通过形成在保护层（108）中的第一接触孔（131），源电极（105）与氧化物半导体层（104）电连接，经由第二接触孔（132），漏电极 ）与氧化物半导体层（104）电连接。

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