发明授权
US08981448B2 Variable resistance memory device with shunt gate connected to corresponding gate
有权
具有分流栅的可变电阻存储器件连接到相应的栅极
- 专利标题： Variable resistance memory device with shunt gate connected to corresponding gate
- 专利标题（中）： 具有分流栅的可变电阻存储器件连接到相应的栅极
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申请号： US13795872申请日： 2013-03-12
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公开(公告)号： US08981448B2公开(公告)日： 2015-03-17
- 发明人: Nam Kyun Park
- 申请人： SK Hynix Inc.
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： IP & T Group LLP
- 优先权： KR10-2012-0146380 20121214
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L29/788 ; H01L27/24 ; H01L21/8239 ; H01L29/78
摘要：
A variable resistance memory device includes a semiconductor substrate having a vertical transistor with a shunt gate that increases an area of a gate of the vertical transistor.
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