发明授权
US09028242B2 Template and method of making high aspect ratio template for lithography and use of the template for perforating a substrate at nanoscale
有权
制备用于光刻的高纵横比模板的模板和方法以及使用模板以在纳米尺度上对基底进行穿孔
- 专利标题： Template and method of making high aspect ratio template for lithography and use of the template for perforating a substrate at nanoscale
- 专利标题（中）： 制备用于光刻的高纵横比模板的模板和方法以及使用模板以在纳米尺度上对基底进行穿孔
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申请号： US13057508申请日： 2009-07-23
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公开(公告)号： US09028242B2公开(公告)日： 2015-05-12
- 发明人: Amin Saleem Muhammad , David Brud , Jonas Berg , Mohammad Shafiqul Kabir , Vincent Desmaris
- 申请人： Amin Saleem Muhammad , David Brud , Jonas Berg , Mohammad Shafiqul Kabir , Vincent Desmaris
- 申请人地址： SE Gothenburg
- 专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人： Smoltek AB
- 当前专利权人地址： SE Gothenburg
- 代理机构： Buchanan Ingersoll & Rooney P.C.
- 优先权： SE0801770 20080805
- 国际申请： PCT/EP2009/005340 WO 20090723
- 国际公布： WO2010/015333 WO 20100211
- 主分类号： B29C59/02
- IPC分类号： B29C59/02 ; B05D5/00 ; G03F7/00 ; B82Y10/00 ; B82Y40/00
摘要：
Template and method of making high aspect ratio template, stamp, and imprinting at nanoscale using nanostructures for the purpose of lithography, and to the use of the template to create perforations on materials and products.
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