发明授权
- 专利标题： Semiconductor heterostructure diodes
- 专利标题（中）： 半导体异质结二极管
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申请号： US13973890申请日： 2013-08-22
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公开(公告)号： US09041065B2公开(公告)日： 2015-05-26
- 发明人: Yifeng Wu , Umesh Mishra , Primit Parikh , Rongming Chu , Ilan Ben-Yaacov , Likun Shen
- 申请人： Transphorm Inc.
- 申请人地址： US CA Goleta
- 专利权人： Transphorm Inc.
- 当前专利权人： Transphorm Inc.
- 当前专利权人地址： US CA Goleta
- 代理机构： Fish & Richardson P.C.
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L29/20 ; H01L29/205 ; H01L29/872 ; H01L27/06 ; H01L29/778 ; H01L29/423
摘要：
Planar Schottky diodes for which the semiconductor material includes a heterojunction which induces a 2DEG in at least one of the semiconductor layers. A metal anode contact is on top of the upper semiconductor layer and forms a Schottky contact with that layer. A metal cathode contact is connected to the 2DEG, forming an ohmic contact with the layer containing the 2DEG.
公开/授权文献
- US20140054603A1 Semiconductor Heterostructure Diodes 公开/授权日：2014-02-27
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