发明授权
- 专利标题： Plasma processing method
- 专利标题（中）： 等离子体处理方法
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申请号： US13011019申请日： 2011-01-21
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公开(公告)号： US09070388B2公开(公告)日： 2015-06-30
- 发明人: Kentaro Yamada , Takeshi Shimada , Takahiro Abe
- 申请人： Kentaro Yamada , Takeshi Shimada , Takahiro Abe
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
- 当前专利权人： HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Baker Botts L.L.P.
- 优先权： JP2010-244920 20101101
- 主分类号： C03C15/00
- IPC分类号： C03C15/00 ; C03C25/68 ; C23F1/00 ; B44C1/22 ; H01L21/302 ; H01L21/461 ; G11B5/31 ; C23F4/00 ; H01F41/34
摘要：
In a plasma processing method of dry-etching of a magnetic film having a thickness of 200 nm to 500 nm, a plasma processing method of dry-etching of a sample having the magnetic film on which a multilayered film including a resist film, an non-organic film underlying the resist film, a Cr film underlying the non-organic film, and an Al2O3 film underlying the Cr film.
公开/授权文献
- US20120103933A1 PLASMA PROCESSING METHOD 公开/授权日：2012-05-03
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