发明授权
US09117539B2 Flash memory device reducing noise peak and program time and programming method thereof
有权
闪存器件降低噪声峰值和编程时间及其编程方法
- 专利标题： Flash memory device reducing noise peak and program time and programming method thereof
- 专利标题（中）： 闪存器件降低噪声峰值和编程时间及其编程方法
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申请号： US14303061申请日： 2014-06-12
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公开(公告)号： US09117539B2公开(公告)日： 2015-08-25
- 发明人: Jong Cheol Lee
- 申请人： FIDELIX CO., LTD. , Nemostech Co., Ltd.
- 申请人地址： KR Seongnam-Si, Gyeonggi-Do KR Seongnam-Si, Gyeonggi-Do
- 专利权人： FIDELIX CO., LTD.,NEMOSTECH CO., LTD.
- 当前专利权人： FIDELIX CO., LTD.,NEMOSTECH CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Seongnam-Si, Gyeonggi-Do KR Seongnam-Si, Gyeonggi-Do
- 代理机构： Kile Park Reed & Houtteman PLLC
- 优先权： KR10-2013-0104951 20130902
- 主分类号： G11C11/34
- IPC分类号： G11C11/34 ; G11C16/34 ; G11C16/10 ; G06F13/28
摘要：
A flash memory device reduces noise peak and program time through serial programming of program blocks of memory cells. The time interval or the number of the program groups is decreased according to the proceeding program loop in the plurality of program loops, reducing the total program time.
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