发明授权
- 专利标题： Electron beam-induced etching
- 专利标题（中）： 电子束诱导蚀刻
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申请号： US13914312申请日： 2013-06-10
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公开(公告)号： US09123506B2公开(公告)日： 2015-09-01
- 发明人: Aiden Martin , Milos Toth
- 申请人： FEI Company
- 申请人地址： US OR HILLSBORO
- 专利权人： FEI COMPANY
- 当前专利权人： FEI COMPANY
- 当前专利权人地址： US OR HILLSBORO
- 代理机构： Scheinberg & Associates
- 代理商 Michael O. Scheinberg; John E. Hillert
- 主分类号： H01J37/305
- IPC分类号： H01J37/305 ; C23F4/02 ; H01L21/3065 ; H01J37/30
摘要：
Beam-induced etching uses a work piece maintained at a temperature near the boiling point of a precursor material, but the temperature is sufficiently high to desorb reaction byproducts. In one embodiment, NF3 is used as a precursor gas for electron-beam induced etching of silicon at a temperature below room temperature.
公开/授权文献
- US20140363978A1 Electron Beam-Induced Etching 公开/授权日：2014-12-11
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