发明授权
- 专利标题： Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）： 氮化物半导体器件及其制造方法
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申请号： US13947517申请日： 2013-07-22
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公开(公告)号： US09129888B2公开(公告)日： 2015-09-08
- 发明人: Jae Hoon Lee , Young Sun Kwak
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 申请人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si, Gyeonggi-do
- 代理机构： Lee & Morse, P.C.
- 优先权： KR10-2012-0079798 20120723
- 主分类号： H01L29/20
- IPC分类号： H01L29/20 ; H01L21/02 ; H01L29/66 ; H01L29/778 ; H01L29/207 ; H01L29/36 ; H01L29/423 ; H01L23/29
摘要：
A nitride-based semiconductor device includes a buffer layer on a substrate, a nitride-based semiconductor layer on the buffer layer, at least one ion implanted layer within the nitride-based semiconductor layer, and a channel layer on the nitride-based semiconductor layer.
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