发明授权
- 专利标题： Lateral double-diffused metal oxide semiconductor
- 专利标题（中）： 横向双扩散金属氧化物半导体
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申请号： US12609813申请日： 2009-10-30
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公开(公告)号： US09142671B2公开(公告)日： 2015-09-22
- 发明人: Kwang-Ming Lin , Ming-Cheng Lin , Yu-Long Chang
- 申请人： Kwang-Ming Lin , Ming-Cheng Lin , Yu-Long Chang
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Vanguard International Semiconductor Corporation
- 当前专利权人： Vanguard International Semiconductor Corporation
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/768 ; H01L23/31 ; H01L29/66 ; H01L29/10 ; H01L29/423 ; H01L29/45
摘要：
The invention provides a lateral double-diffused metal oxide semiconductor (LDMOS). The pre-metal dielectric layer (PMD) of the LDMOS is a silicon rich content material. Additionally, the inter-layer dielectric layer (ILD), inter-metal dielectric layer (IMD), or protective layer of the LDMOS may be formed of a silicon rich content material.
公开/授权文献
- US20110101453A1 LATERAL DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR 公开/授权日：2011-05-05
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