发明授权
- 专利标题： Non-volatile semiconductor memory device
- 专利标题（中）： 非易失性半导体存储器件
-
申请号： US13585449申请日： 2012-08-14
-
公开(公告)号： US09183909B2公开(公告)日： 2015-11-10
- 发明人: Jong-pil Son
- 申请人： Jong-pil Son
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Onello & Mello, LLP
- 优先权： KR10-2011-0083578 20110822
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C11/16 ; G11C7/24
摘要：
A non-volatile semiconductor memory device includes: a power supply unit; a memory cell array powered on or off by the power supply unit; and a read unit for reading data recorded on the memory cell array, wherein the data recorded on the memory cell array is not read in response to a control signal, when the memory cell array is powered on or off.
公开/授权文献
- US20130051132A1 NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 公开/授权日：2013-02-28
信息查询
