发明授权
US09202860B2 Method for fabricating capacitor having rutile titanium oxide dielectric film
有权
制造具有金红石型氧化钛电介质膜的电容器的方法
- 专利标题： Method for fabricating capacitor having rutile titanium oxide dielectric film
- 专利标题（中）： 制造具有金红石型氧化钛电介质膜的电容器的方法
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申请号： US14147603申请日： 2014-01-06
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公开(公告)号： US09202860B2公开(公告)日： 2015-12-01
- 发明人: Chun-I Hsieh , Vishwanath Bhat
- 申请人： NANYA TECHNOLOGY CORP.
- 申请人地址： TW Gueishan Dist., Taoyuan
- 专利权人： NANYA TECHNOLOGY CORP.
- 当前专利权人： NANYA TECHNOLOGY CORP.
- 当前专利权人地址： TW Gueishan Dist., Taoyuan
- 代理商 Winston Hsu; Scott Margo
- 主分类号： H01L49/02
- IPC分类号： H01L49/02 ; H01L21/02 ; C23C16/40 ; C23C16/455
摘要：
A method for fabricating a capacitor includes: (1) forming a bottom electrode on a substrate; (2) forming a template layer on the bottom electrode; (3) performing a plurality of atomic layer deposition (ALD) cycles by using water vapor as an oxidant thereby depositing a first TiO2 layer on the template layer; and (4) performing ozone pulse and purge step to transform entire thickness of the first TiO2 layer into rutile phase.
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