发明授权
- 专利标题： Semiconductor device having multilayer wiring structure and manufacturing method of the same
- 专利标题（中）： 具有多层布线结构的半导体器件及其制造方法
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申请号： US13235782申请日： 2011-09-19
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公开(公告)号： US09252099B2公开(公告)日： 2016-02-02
- 发明人: Kazuyoshi Arai
- 申请人： Kazuyoshi Arai
- 申请人地址： JP Yokohama, Kanagawa
- 专利权人： TERA PROBE, INC.
- 当前专利权人： TERA PROBE, INC.
- 当前专利权人地址： JP Yokohama, Kanagawa
- 代理机构： Holtz, Holtz & Volek PC
- 优先权： JP2010-220481 20100930
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/522 ; H01L23/31 ; H01L25/065 ; H01L25/00 ; H01L25/16 ; H01L23/00
摘要：
Disclosed is a semiconductor device 1 comprising: a semiconductor chip 10; a multilayer wiring structure 30 stacked on the semiconductor chip 10; and an electronic component 60,80 embedded in the multilayer wiring structure 30.