发明授权
US09263121B2 Low power transient voltage collapse apparatus and method for a memory cell
有权
用于存储单元的低功率瞬态电压崩溃装置和方法
- 专利标题： Low power transient voltage collapse apparatus and method for a memory cell
- 专利标题（中）： 用于存储单元的低功率瞬态电压崩溃装置和方法
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申请号： US13976403申请日： 2013-05-16
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公开(公告)号： US09263121B2公开(公告)日： 2016-02-16
- 发明人: Eric A. Karl , Yong-Gee Ng , Cyrille Dray
- 申请人： Eric A. Karl , Yong-Gee Ng , Cyrille Dray
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
- 国际申请： PCT/US2013/041412 WO 20130516
- 国际公布： WO2014/185923 WO 20141120
- 主分类号： G11C5/14
- IPC分类号： G11C5/14 ; G11C11/419 ; G11C11/417 ; G11C11/414 ; G11C11/413
摘要：
Described is an apparatus for memory write assist which consumes low power during write assist operation. The apparatus comprises: a power supply node; a device operable to adjust voltage on the power supply node; and a feedback unit coupled to the power supply node, the feedback unit to control the device in response to a voltage level of the voltage on the power supply node.
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