发明授权
US09287228B2 Method for etching semiconductor structures and etching composition for use in such a method
有权
蚀刻用于这种方法的半导体结构和蚀刻组合物的方法
- 专利标题： Method for etching semiconductor structures and etching composition for use in such a method
- 专利标题（中）： 蚀刻用于这种方法的半导体结构和蚀刻组合物的方法
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申请号： US14316558申请日： 2014-06-26
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公开(公告)号： US09287228B2公开(公告)日： 2016-03-15
- 发明人: Harald Kraus , Hebert Schier
- 申请人： Harald Kraus , Hebert Schier
- 申请人地址： AT Villach
- 专利权人： LAM RESEARCH AG
- 当前专利权人： LAM RESEARCH AG
- 当前专利权人地址： AT Villach
- 代理机构： Young & Thompson
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/461 ; H01L23/00 ; H01L21/3213 ; C23F1/26
摘要：
A method of etching a semiconductor structure, comprises contacting an under bump metallization (UBM) with an etching composition. The UBM includes an underlying layer comprising titanium and an overlying layer comprising a second metal. The etching composition is a liquid comprising at least 0.1 wt % hydrofluoric acid and at least 0.1 wt % phosphoric acid.
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