发明授权
- 专利标题： Nitride semiconductor light-emitting device with a layer containing In and Mg and method for producing the same
- 专利标题（中）： 含有In和Mg的氮化物半导体发光装置及其制造方法
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申请号： US14049024申请日： 2013-10-08
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公开(公告)号： US09287454B2公开(公告)日： 2016-03-15
- 发明人: Takeshi Kawashima
- 申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Canon USA Inc. IP Division
- 优先权： JP2012-224590 20121009
- 主分类号： H01L27/15
- IPC分类号： H01L27/15 ; H01L33/32 ; H01L33/00 ; B82Y20/00 ; H01S5/10 ; H01S5/12 ; H01S5/183 ; H01S5/343 ; H01S5/30
摘要：
A method for producing a light-emitting device includes the steps of: forming a layer containing In on a substrate in a reactor in which a Mg-containing raw material has been used; and forming an active layer including a nitride semiconductor on the layer containing In.
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