Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

发明授权

US09293719B2 Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus 有权

标题翻译：半导体装置及其制造方法以及电子设备

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专利标题： Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法以及电子设备
申请号： US13960348

申请日： 2013-08-06
公开(公告)号： US09293719B2

公开(公告)日： 2016-03-22
发明人: Yui Ishii , Hideki Ono
申请人： Sony Corporation
申请人地址： JP Tokyo
专利权人： SONY CORPORATION
当前专利权人： SONY CORPORATION
当前专利权人地址： JP Tokyo
代理机构： Hazuki International, LLC
优先权： JP2012-182465 20120821
主分类号： H01L29/08
IPC分类号： H01L29/08 ; H01L51/00 ; H01L35/24 ; H01L51/10 ; B82Y10/00

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

摘要：

A semiconductor device includes: a gate electrode; an organic semiconductor film forming a channel; and a pair of source-drain electrodes formed on the organic semiconductor film, the pair of source-drain electrodes each including a connection layer, a buffer layer, and a wiring layer that are laminated in order.

摘要（中）：

半导体器件包括：栅电极; 形成通道的有机半导体膜; 以及形成在有机半导体膜上的一对源极 - 漏极电极，所述一对源极 - 漏极电极各自包括依次层叠的连接层，缓冲层和布线层。

公开/授权文献

US20140054568A1 SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS 公开/授权日：2014-02-27

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的
H01L29/08	...具有连接到1个通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的