发明授权
US09299472B2 Copper-alloy barrier layers for metallization in thin-film transistors and flat panel displays
有权
用于薄膜晶体管和平板显示器中金属化的铜合金阻挡层
- 专利标题： Copper-alloy barrier layers for metallization in thin-film transistors and flat panel displays
- 专利标题（中）： 用于薄膜晶体管和平板显示器中金属化的铜合金阻挡层
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申请号： US14296796申请日： 2014-06-05
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公开(公告)号： US09299472B2公开(公告)日： 2016-03-29
- 发明人: Shuwei Sun , Francois-Charles Dary , Marc Abouaf , Patrick Hogan , Qi Zhang
- 申请人： Shuwei Sun , Francois-Charles Dary , Marc Abouaf , Patrick Hogan , Qi Zhang
- 申请人地址： US MA Newton
- 专利权人： H.C. Starck Inc.
- 当前专利权人： H.C. Starck Inc.
- 当前专利权人地址： US MA Newton
- 代理机构： Morgan, Lewis & Bockius LLP
- 主分类号： H01L21/84
- IPC分类号： H01L21/84 ; H01B1/02 ; H01L29/66 ; G06F3/041 ; H01L29/49
摘要：
In various embodiments, electronic devices such as thin-film transistors incorporate electrodes featuring a conductor layer and, disposed below the conductor layer, a barrier layer comprising an alloy of Cu and one or more refractory metal elements selected from the group consisting of Ta, Nb, Mo, W, Zr, Hf, Re, Os, Ru, Rh, Ti, V, Cr, and Ni.
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