发明授权
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： US14024248申请日： 2013-09-11
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公开(公告)号： US09299717B2公开(公告)日： 2016-03-29
- 发明人: Ki Hong Lee , Seung Ho Pyi , Yong Hyun Lim
- 申请人： SK hynix Inc.
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： IP & T Group LLP
- 优先权： KR10-2013-0058365 20130523
- 主分类号： H01L23/535
- IPC分类号： H01L23/535 ; H01L27/115
摘要：
A semiconductor device includes a plurality of first conductive layers stacked on top of one another, a plurality of first slits passing through the first conductive layers, and a plurality of second slits passing through the first conductive layers and crossing end portions of the first slits to form cross-shaped edges.
公开/授权文献
- US20140346682A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日：2014-11-27
信息查询
IPC分类:
