发明授权
- 专利标题： Storage device, memory cell, and data writing method
- 专利标题（中）： 存储设备，存储单元和数据写入方式
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申请号： US14758100申请日： 2013-12-25
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公开(公告)号： US09318170B2公开(公告)日： 2016-04-19
- 发明人: Takashi Ohsawa , Tetsuo Endoh
- 申请人： TOHOKU UNIVERSITY
- 申请人地址： JP Sendai-shi
- 专利权人： Tohoku University
- 当前专利权人： Tohoku University
- 当前专利权人地址： JP Sendai-shi
- 代理机构： Greer Burns & Crain Ltd.
- 优先权： JP2012-288567 20121228
- 国际申请： PCT/JP2013/084750 WO 20131225
- 国际公布： WO2014/104131 WO 20140703
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; G11C7/22 ; G11C13/00 ; G11C11/16 ; G11C14/00
摘要：
A memory cell (1) includes a first storage circuit (2) with a write time t1 and a data retention time τ1 and a second storage circuit (3) with a write time t2 and a data retention time τ2 (t1
公开/授权文献
- US20150332745A1 STORAGE DEVICE, MEMORY CELL, AND DATA WRITING METHOD 公开/授权日：2015-11-19
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