Metal deposition on substrates

Invention Grant

US09318446B2 Metal deposition on substrates 有权

Title translation: 金属沉积在基材上

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Patent Title: Metal deposition on substrates
Patent Title (中): 金属沉积在基材上
Application No.: US14185272

Application Date: 2014-02-20
Publication No.: US09318446B2

Publication Date: 2016-04-19
Inventor: Kae-Horng Wang , Francisco Javier Santos Rodriguez , Michael Knabl , Guenther Koffler
Applicant: Infineon Technologies Austria AG
Applicant Address: AT Villach
Assignee: Infineon Technologies Austria AG
Current Assignee: Infineon Technologies Austria AG
Current Assignee Address: AT Villach
Agency: Slater & Matsil, L.L.P.
Main IPC: H01L21/304
IPC: H01L21/304 ; H01L21/311 ; H01L23/00 ; H01L21/288 ; H01L23/485 ; H01L27/146 ; H01L21/02

Abstract:

Various techniques, methods, devices and apparatus are provided where an isolation layer is provided at a peripheral region of the substrate, and one or more metal layers are deposited onto the substrate.

Abstract(Chinese):

提供各种技术，方法，装置和装置，其中隔离层设置在基板的周边区域，并且一个或多个金属层沉积在基板上。

Public/Granted literature

US20140264779A1 Metal Deposition on Substrates Public/Granted day:2014-09-18

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304	......机械处理，例如研磨、抛光、切割