发明授权
US09385235B2 Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same
有权
Fin场效应晶体管（FinFET）器件及其形成方法
- 专利标题： Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same
- 专利标题（中）： Fin场效应晶体管（FinFET）器件及其形成方法
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申请号： US14291899申请日： 2014-05-30
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公开(公告)号： US09385235B2公开(公告)日： 2016-07-05
- 发明人: Huang-Kui Chen
- 申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 代理机构： Birch, Stewart, Kolasch & Birch, LLP
- 主分类号： H01L29/02
- IPC分类号： H01L29/02 ; H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L29/417 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/49 ; H01L21/28 ; H01L21/3213 ; H01L29/66
摘要：
A fin field effect transistor (FinFET) device structure and method for forming FinFET device structure are provided. The FinFET structure includes a substrate and a fin structure extending above the substrate. The FinFET structure also includes a gate electrode formed over the fin structure, and the gate electrode has a grid-like pattern when seen from a top-view.
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