发明授权
- 专利标题： Nanogenerator comprising boron nitride atomic layer
- 专利标题（中）： 纳米发生器包括氮化硼原子层
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申请号： US13955145申请日： 2013-07-31
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公开(公告)号： US09406864B2公开(公告)日： 2016-08-02
- 发明人: Sang Woo Kim , Ju Hyuck Lee , Kang Hyuck Lee , Keun Young Lee , Jin Yeong Lee , Wan Chul Seung
- 申请人： RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY
- 当前专利权人： RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 代理机构： NSIP Law
- 优先权： KR10-2011-0009837 20110131; KR10-2012-0009576 20120131
- 主分类号： H01L41/18
- IPC分类号： H01L41/18 ; H01L41/312 ; H01L41/29 ; H01L41/113 ; B82Y30/00
摘要：
A nanogenerator and a method of manufacturing the same are provided. The nanogenerator includes a boron nitride atomic layer, and a first electrode and a second electrode disposed on the boron nitride atomic layer.
公开/授权文献
- US20130313944A1 NANOGENERATOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 公开/授权日：2013-11-28
信息查询
IPC分类:
