发明授权
- 专利标题： Resistive memory and method
- 专利标题（中）： 电阻记忆和方法
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申请号： US13270592申请日： 2011-10-11
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公开(公告)号： US09443583B2公开(公告)日： 2016-09-13
- 发明人: Christian Pacha , Tim Schönauer , Michael Kund
- 申请人： Christian Pacha , Tim Schönauer , Michael Kund
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Eschweiler & Associates, LLC
- 主分类号： G11C19/08
- IPC分类号： G11C19/08 ; G11C13/00 ; H01L27/24 ; H01L45/00 ; H01L29/78
摘要：
A memory device includes a multi gate field effect transistor (MuGFET) having a fin with a contact area. A programmable memory element abuts the fin contact area.
公开/授权文献
- US20120026781A1 RESISTIVE MEMORY AND METHOD 公开/授权日：2012-02-02
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