发明授权
- 专利标题： Method of manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
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申请号： US14178959申请日： 2014-02-12
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公开(公告)号： US09490160B2公开(公告)日： 2016-11-08
- 发明人: Dong-Jin Lee
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 申请人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 代理机构： Lee & Morse, P.C.
- 优先权： KR10-2013-0022903 20130304
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76 ; H01L21/762 ; H01L27/115
摘要：
A method of manufacturing a semiconductor device, the method including providing a substrate; forming a field trench in the substrate; and forming a diffusion barrier region under the field trench, wherein the diffusion barrier region includes carbon.
公开/授权文献
- US20140248756A1 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日：2014-09-04
信息查询
IPC分类:
