发明授权
US09515220B2 Light emitting diode with doped quantum wells and associated manufacturing method
有权
具有掺杂量子阱的发光二极管及相关制造方法
- 专利标题： Light emitting diode with doped quantum wells and associated manufacturing method
- 专利标题（中）： 具有掺杂量子阱的发光二极管及相关制造方法
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申请号： US14938058申请日： 2015-11-11
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公开(公告)号： US09515220B2公开(公告)日： 2016-12-06
- 发明人: Ivan-Christophe Robin
- 申请人： Commissariat a L'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： Commissariat a l'energie atomique et aux energies alternatives
- 当前专利权人： Commissariat a l'energie atomique et aux energies alternatives
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理机构： Oblon, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： FR1461201 20141119
- 主分类号： H01L33/04
- IPC分类号： H01L33/04 ; H01L33/00 ; H01L33/32 ; H01L33/06 ; H01L33/18
摘要：
A light emitting diode based on GaN including an active zone located between an n-doped layer and a p-doped layer that together form a p-n junction, wherein the active zone includes at least one n-doped emissive layer.
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