发明授权
US09520301B2 Etching method using plasma, and method of fabricating semiconductor device including the etching method
有权
使用等离子体的蚀刻方法以及包括蚀刻方法的半导体器件的制造方法
- 专利标题： Etching method using plasma, and method of fabricating semiconductor device including the etching method
- 专利标题（中）： 使用等离子体的蚀刻方法以及包括蚀刻方法的半导体器件的制造方法
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申请号： US14819904申请日： 2015-08-06
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公开(公告)号： US09520301B2公开(公告)日： 2016-12-13
- 发明人: Go-jun Kim , Vladimir Volynets , Sang-jin An , Hee-jeon Yang , Sang-heon Lee , Sung-keun Cho , Xinglong Chen , In-ho Choi
- 申请人： Go-jun Kim , Vladimir Volynets , Sang-jin An , Hee-jeon Yang , Sang-heon Lee , Sung-keun Cho , Xinglong Chen , In-ho Choi
- 申请人地址： KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR
- 代理机构： Myers Bigel, P.A.
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/311 ; H01J37/32
摘要：
An etching method using plasma includes generating plasma by supplying process gases to at least one remote plasma source (RPS) and applying power to the at least one RPS, and etching an etching object by supplying water (H2O) and the plasma to a process chamber.
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