发明授权
- 专利标题： Phase change memory in a dual inline memory module
- 专利标题（中）： 双联内存模块中的相变存储器
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申请号： US14097125申请日： 2013-12-04
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公开(公告)号： US09576662B2公开(公告)日： 2017-02-21
- 发明人: Shekoufeh Qawami , Jared E. Hulbert
- 申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Holland & Hart LLP
- 主分类号： G06F12/00
- IPC分类号： G06F12/00 ; G11C14/00 ; G11C13/00 ; G11C11/406 ; G06F12/08 ; G11C11/00
摘要：
Subject matter disclosed herein relates to management of a memory device.
公开/授权文献
- US20140095781A1 PHASE CHANGE MEMORY IN A DUAL INLINE MEMORY MODULE 公开/授权日：2014-04-03
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