- 专利标题： Semiconductor device
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申请号： US15041820申请日： 2016-02-11
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公开(公告)号： US09721797B2公开(公告)日： 2017-08-01
- 发明人: Young Ho Yang
- 申请人： SK hynix Inc.
- 申请人地址： KR Gyeonggi-do
- 专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人： SK Hynix Inc.
- 当前专利权人地址： KR Gyeonggi-do
- 代理机构： IP & T Group LLP
- 优先权： KR10-2015-0134203 20150922
- 主分类号： H01L29/788
- IPC分类号： H01L29/788 ; H01L29/06 ; H01L29/167 ; H01L21/28 ; H01L29/423 ; H01L27/11521 ; H01L21/02 ; H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L21/311 ; H01L27/11556
摘要：
A semiconductor device and a method for forming the same. The semiconductor device includes a tunnel insulating layer, a charge storage layer including a dopant, and a diffusion barrier layer including at least one of carbon, nitrogen, or oxygen interposed between the tunnel insulating layer and the charge storage layer.
公开/授权文献
- US20170084748A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 公开/授权日：2017-03-23
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IPC分类:
