- 专利标题： Memory cell with redundant carbon nanotube
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申请号： US13846677申请日： 2013-03-18
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公开(公告)号： US09842991B2公开(公告)日： 2017-12-12
- 发明人: David K. Nelson , Keith W. Golke
- 申请人： Honeywell International Inc.
- 申请人地址： US NJ Morris Plains
- 专利权人： Honeywell International Inc.
- 当前专利权人： Honeywell International Inc.
- 当前专利权人地址： US NJ Morris Plains
- 代理机构： Shumaker & Sieffert, P.A.
- 主分类号： G11C16/04
- IPC分类号： G11C16/04 ; G11C16/06 ; G11C16/28 ; G11C7/10 ; G11C8/00 ; H01L45/00 ; G11C13/02 ; H01L27/24 ; G11C23/00 ; G11C29/00 ; G11C13/00
摘要：
A configuration for a carbon nanotube (CNT) based memory device can include multiple CNT elements in order to increase memory cell yield by reducing the times when a memory cell gets stuck at a high state or a low state.
公开/授权文献
- US20140264251A1 MEMORY CELL WITH REDUNDANT CARBON NANOTUBE 公开/授权日：2014-09-18
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