- 专利标题： 4F2 SCR memory device
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申请号： US14841672申请日： 2015-08-31
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公开(公告)号： US09871043B2公开(公告)日： 2018-01-16
- 发明人: Daniel R. Shepard
- 申请人： HGST, Inc.
- 申请人地址： US CA San Jose
- 专利权人： HGST, Inc.
- 当前专利权人： HGST, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA San Jose
- 代理机构： Patterson + Sheridan, LLP
- 代理商 Steven H VerSteeg
- 主分类号： H01L27/102
- IPC分类号： H01L27/102 ; H01L29/74 ; H01L23/528
摘要：
A memory-array is disclosed in which an array of threshold switching devices is constructed having an area per transistor of 2F2. This array of threshold switching devices is suitable for a variety of memory or other applications including PRAM, MRAM, RRAM, FRAM, OPT-RAM and 3-D memory.
公开/授权文献
- US20170062432A1 4F2 SCR MEMORY DEVICE 公开/授权日：2017-03-02
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IPC分类:
