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发明申请
WO2002069054A1 VACUUM ULTRAVIOLET TRANSMITTING SILICON OXYFLUORIDE LITHOGRAPHY GLASS 审中-公开
真空紫外线透射硅氧化物光刻玻璃

  • 专利标题： VACUUM ULTRAVIOLET TRANSMITTING SILICON OXYFLUORIDE LITHOGRAPHY GLASS
  • 专利标题（中）： 真空紫外线透射硅氧化物光刻玻璃
  • 申请号： PCT/US2001/044547
    申请日： 2001-11-28
  • 公开(公告)号： WO2002069054A1
    公开(公告)日： 2002-09-06
  • 发明人: MOORE, Lisa, A. , SMITH, Charlene, M.
  • 申请人： CORNING INCORPORATED
  • 申请人地址： 1 Riverfront Plaza, Corning, NY 14831 US
  • 专利权人： CORNING INCORPORATED
  • 当前专利权人： CORNING INCORPORATED
  • 当前专利权人地址： 1 Riverfront Plaza, Corning, NY 14831 US
  • 代理机构： MURPHY, Edward, F.
  • 优先权： US60/271,136 20010224
  • 主分类号： G03F9/00
  • IPC分类号： G03F9/00
VACUUM ULTRAVIOLET TRANSMITTING SILICON OXYFLUORIDE LITHOGRAPHY GLASS
摘要：
High purity silicon oxyfluoride glass suitable for use as a photomask substrates for photolithography applications in the VUV wavelength region below 190 nm is disclosed with the silicon oxyfluoride glass having a preferred fluorine content
摘要（中）：

公开了具有优选氟含量<0.5重量％的氟氧化硅玻璃，适合用作光刻应用中的低于190nm的VUV波长区域的光掩模基板的高纯度氟氧化硅玻璃。 本发明的氟氧化硅玻璃在157nm波长下是透射的，使其特别适用于157nm波长区域的光掩模衬底。 本发明的光掩模基材是“真空”的氟氧化硅玻璃，其在真空紫外（VUV）波长区域中表现出非常高的透射率，同时保持通常与高纯度熔融石英相关的优异的热和物理性能。 除了含氟并且具有很少或不含OH含量之外，本发明的适合用作157nm的光掩模衬底的氟氧化硅玻璃的特征还在于具有小于1×10 17分子/ cm 3的分子氢和低氯水平。

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