可制御電流が大きく、かつ低損失のパワー半導体装置を得るために、ワイドギャップ半導体を用いるバイポーラ半導体素子の温度を、ヒーターなどの加熱手段を用いて上昇させる。その温度は、ワイドギャップバイポーラ半導体素子の、温度の上昇に応じて低下するビルトイン電圧の低下量に対応する前記ワイドギャップバイポーラ半導体素子の定常損失の減少量が、前記温度の上昇に応じて増加するオン抵抗の増加量に対応する前記定常損失の増加量よりも大きくなる温度を超える温度にする。