本発明の課題は、基板温度の上昇を招くことなく、不純物の電気的な活性化を実現し、基板選択の制約を少なくし、信頼性の高い半導体薄膜を有する基板を提供することにある。　また、アニールのためのエネルギーの吸収効率を高め、高品質で信頼性の高い半導体薄膜を備えた基板を提供することにある。　不純物薄膜や半導体薄膜の膜厚を、続く光照射工程に対して最適になるように制御形成する。これにより、続くアニール時に最適の波長を選択することや、選ばれた光の波長に合わせて最適に薄膜構成をとることによって、光のエネルギーの大半が、半導体薄膜や不純物薄膜に吸収され、ガラス基板の温度を殆ど上昇させること無くアニールを行うことができる．従って、軟化点の低い安価なガラスあるいはプラスチックを基板に使用することができる上、アニールの光源としても工業的に容易に入手可能な安価なものを選択できる。