従来の加熱接合や陽極接合においては、高温長時間加熱が必要であり、生産効率が悪く、また、熱膨張差によりそりが発生し、デバイスに不具合がおこるという問題を解決する。 　ガラスからなる上ウエハー７とＳｉからなる下ウエハー８を、エネルギー波により表面活性化した後、陽極接合することにより、より低温で、かつ、接合強度をアップすることであり、また、表面活性化による仮接合後に工程または装置を分離した陽極接合で本接合することにより、生産効率をアップし、そりの発生しない３層構造の接合を可能にする。