Invention Application
- Patent Title: 半導体基板の製造方法、ソーラー用半導体基板及びエッチング液
- Patent Title (English): Process for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate for solar application and etching solution
- Patent Title (中): 用于生产半导体基板的工艺,用于太阳能应用和蚀刻解决方案的半导体基板
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Application No.: PCT/JP2005/019688Application Date: 2005-10-26
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Publication No.: WO2006046601A1Publication Date: 2006-05-04
- Inventor: 土屋 正人 , 真下 郁夫 , 木村 義道
- Applicant: 三益半導体工業株式会社 , スペースエナジー株式会社 , 土屋 正人 , 真下 郁夫 , 木村 義道
- Applicant Address: 〒3703531 群馬県群馬郡群馬町足門762番地 Gunma JP
- Assignee: 三益半導体工業株式会社,スペースエナジー株式会社,土屋 正人,真下 郁夫,木村 義道
- Current Assignee: 三益半導体工業株式会社,スペースエナジー株式会社,土屋 正人,真下 郁夫,木村 義道
- Current Assignee Address: 〒3703531 群馬県群馬郡群馬町足門762番地 Gunma JP
- Agency: 石原 詔二
- Priority: JP2004-314450 20041028
- Main IPC: H01L21/308
- IPC: H01L21/308 ; C30B33/08 ; H01L31/04
Abstract:
光電変換効率に優れ、太陽電池に好適な微細な凹凸構造を所望の大きさで均一に半導体基板の表面に形成することができる安全且つ低コストな半導体基板の製造方法、均一且つ微細なピラミッド状の凹凸構造を面内均一に有するソーラー用半導体基板、均一且つ微細な凹凸構造を有する半導体基板を形成するためのエッチング液を提供する。 1分子中に少なくとも1個のカルボキシル基を有する炭素数1以上12以下のカルボン酸及びその塩からなる群から選択される少なくとも1種を含むアルカリ性のエッチング液を用いて半導体基板をエッチングし、該半導体基板の表面に凹凸構造を形成するようにした。
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