Invention Application
- Patent Title: 半導体装置及びそのテスト方法
- Patent Title (English): Semiconductor device and test method thereof
- Patent Title (中): 半导体器件及其测试方法
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Application No.: PCT/JP2005/000298Application Date: 2005-01-13
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Publication No.: WO2006075374A1Publication Date: 2006-07-20
- Inventor: 林 秀樹 , 吉田 昌弘 , 平岡 徹 , 三澤 正芳
- Applicant: 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ , 林 秀樹 , 吉田 昌弘 , 平岡 徹 , 三澤 正芳
- Applicant Address: 〒1878522 東京都小平市上水本町五丁目22番1号 Tokyo JP
- Assignee: 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ,林 秀樹,吉田 昌弘,平岡 徹,三澤 正芳
- Current Assignee: 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ,林 秀樹,吉田 昌弘,平岡 徹,三澤 正芳
- Current Assignee Address: 〒1878522 東京都小平市上水本町五丁目22番1号 Tokyo JP
- Agency: 筒井 大和
- Main IPC: G01R31/30
- IPC: G01R31/30
Abstract:
ランダムパターン生成回路(102)と、第1の動作条件による第1のテスト及び第2の動作条件による第2のテストが実行される被テスト回路(103)と、前記第1のテストの結果を保持する第1レジスタ(105)と、前記第2のテストの結果を保持する第2レジスタ(106)と、第1レジスタ(105)の値と第2レジスタ(106)の値との比較を行う比較回路(107)と、比較回路(107)による比較結果に基づいて被テスト回路(103)のパス/フェイルの判定を行うテスト結果判定回路(108)とを有し、前記第1の動作条件は、パスが保証されている緩い動作条件であり、前記第2の動作条件は、前記第1の動作条件よりも厳しい動作条件とすることにより、ランダムロジックを含む半導体装置において、テスト装置から期待値を入力することなく、半導体装置内のBISTにより自己的なテストを行うことが可能となる。
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