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WO2006132241A1 金属膜および金属配線パターンの形成方法、金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物および金属膜
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形成金属膜和金属接线图的方法,用于形成金属膜和金属接线图形的金属组合物和金属膜
- Patent Title: 金属膜および金属配線パターンの形成方法、金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物および金属膜
- Patent Title (English): Method for forming metal film and metal wiring pattern, foundation composition for formation of metal film and metal wiring pattern, and metal film
- Patent Title (中): 形成金属膜和金属接线图的方法,用于形成金属膜和金属接线图形的金属组合物和金属膜
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Application No.: PCT/JP2006/311322Application Date: 2006-06-06
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Publication No.: WO2006132241A1Publication Date: 2006-12-14
- Inventor: 縄舟 秀美 , 中島 誠二 , 森 哲也
- Applicant: オムロン株式会社 , 縄舟 秀美 , 中島 誠二 , 森 哲也
- Applicant Address: 〒6008530 京都府京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町801番地 Kyoto JP
- Assignee: オムロン株式会社,縄舟 秀美,中島 誠二,森 哲也
- Current Assignee: オムロン株式会社,縄舟 秀美,中島 誠二,森 哲也
- Current Assignee Address: 〒6008530 京都府京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町801番地 Kyoto JP
- Agency: 河宮 治 et al.
- Priority: JP2005-169643 20050609
- Main IPC: C23C18/30
- IPC: C23C18/30 ; C08J7/06
Abstract:
酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、有機膜が有する酸性基またはそのエステル基を、酸性基の金属(M1)塩にする工程、有機膜を、金属(M1)イオンよりイオン化傾向の低い金属(M2)イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基の金属(M1)塩を金属(M2)塩にする工程、および金属(M2)イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする金属膜の形成方法、該方法において使用される金属膜形成用下地組成物、および該方法によって形成された金属膜。
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