Invention Application
- Patent Title: DÜNNFILMWIDERSTAND MIT SCHICHTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNFILMWIDERSTANDS MIT SCHICHTSTRUKTUR
- Patent Title (English): Thin-film resistor having a layer structure and method for producing a thin-film resistor having a layer structure
- Patent Title (中): 用于生产薄膜电阻与层的结构与电阻层的结构和方法薄膜
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Application No.: PCT/EP2005/013229Application Date: 2005-12-09
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Publication No.: WO2007065460A1Publication Date: 2007-06-14
- Inventor: DEITERS, Heinz , LINNENBERG, Susanne , NACHRODT, Dirk , PASCHEN, Uwe , VOGT, Holger
- Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , DEITERS, Heinz , LINNENBERG, Susanne , NACHRODT, Dirk , PASCHEN, Uwe , VOGT, Holger
- Applicant Address: Hansastrasse 27c, 80686 München DE
- Assignee: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,DEITERS, Heinz,LINNENBERG, Susanne,NACHRODT, Dirk,PASCHEN, Uwe,VOGT, Holger
- Current Assignee: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.,DEITERS, Heinz,LINNENBERG, Susanne,NACHRODT, Dirk,PASCHEN, Uwe,VOGT, Holger
- Current Assignee Address: Hansastrasse 27c, 80686 München DE
- Agency: ZIMMERMANN, Tankred et al.
- Main IPC: H01C7/00
- IPC: H01C7/00 ; H01C17/075
Abstract:
Es wird ein Dünnfilmwiderstand (122) mit Schichtstruktur mit einer Ti-Schicht und einer TiN-Schicht beschrieben, wobei eine Schichtdicke der Ti-Schicht und eine Schichtdi-cke der TiN-Schicht so gewählt sind, dass ein resultieren-der Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) kleiner als 1.000 ppm/°C ist.
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