Invention Application
- Patent Title: 半導体ナノ粒子蛍光体
- Patent Title (English): Semiconductor nanoparticle phosphor
- Patent Title (中): SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE PHOSPHOR
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Application No.: PCT/JP2006/324532Application Date: 2006-12-08
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Publication No.: WO2007086198A1Publication Date: 2007-08-02
- Inventor: 岡田 尚大 , 星野 秀樹 , 塚田 和也
- Applicant: コニカミノルタエムジー株式会社 , 岡田 尚大 , 星野 秀樹 , 塚田 和也
- Applicant Address: 〒1630512 東京都新宿区西新宿1丁目26番2号 Tokyo JP
- Assignee: コニカミノルタエムジー株式会社,岡田 尚大,星野 秀樹,塚田 和也
- Current Assignee: コニカミノルタエムジー株式会社,岡田 尚大,星野 秀樹,塚田 和也
- Current Assignee Address: 〒1630512 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号 Tokyo JP
- Priority: JP2006-019241 20060127
- Main IPC: C09K11/08
- IPC: C09K11/08 ; C09K11/59
Abstract:
本発明は、発光輝度に優れ、かつブリンキングがほとんどない半導体ナノ粒子蛍光体を提供する。この半導体ナノ粒子蛍光体は、一粒子あたりの結晶欠陥の個数が平均１０個以下であることを特徴とする。
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